삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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대통령이직접상공의날행사에참석한것은지난2021년이후3년만의일이다.

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(서울=연합인포맥스)오진우기자=금리스와프(IRS)금리가연방공개시장위원회(FOMC)에서올해세차례금리인하점도표가유지된데힘입어상당폭하락했다.단기위주로하락하면서커브는다소가팔라졌다.

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연준은경제전망요약(SEP)에서미국의실질국내총생산(GDP)성장률전망치를상향수정했다.

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여기에SK하이닉스는HBM3E12H실물을공개하며맞수를놨다.

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앞서마이크론은올해2분기출시예정인엔비디아의H200에탑재될HBM3E를양산한다고밝힌바있으나,실제납품으로이어진것은SK하이닉스가처음으로알려졌다.

첫금리인하로예상됐던6월의금리인하가능성은최근50%대로떨어졌다.